Güney Koreli teknoloji devi Samsung’da geçmişte görev yapmış bir grup çalışanın, şirketin kritik öneme sahip bellek teknolojilerini Çinli bir üreticiye aktardığı ortaya çıktı. Yürütülen soruşturma sonucunda, 10 nanometre sınıfı DRAM bellek üretim süreçlerine ait ticari sırların ChangXin Memory Technologies (CXMT) adlı firmaya sızdırıldığı belirlendi ve olay büyük bir endüstriyel casusluk skandalı olarak kayıtlara geçti.
Bellek sektöründe ajan skandalı
Seul Merkez Bölge Savcılığı tarafından yürütülen dava kapsamında, aralarında eski üst düzey yöneticilerin de bulunduğu toplam 10 kişi hakkında işlem yapıldı. Şüphelilerden 5’i tutuklanarak cezaevine gönderilirken, diğer 5 kişi yargılanmak üzere serbest bırakıldı. Soruşturma dosyasında yer alan bulgular, sızdırılan bilgilerin Samsung’a yaklaşık 3,46 milyar dolarlık doğrudan zarar verdiğini, Güney Kore ekonomisi üzerindeki toplam etkinin ise onlarca trilyon wonu bulduğunu ortaya koyuyor.
Olayın kökeni, Çinli bellek üreticisi CXMT’nin 2016 yılında kuruluş sürecine kadar uzanıyor. Şirketin geliştirme biriminin başına, daha önce Samsung’da departman yöneticiliği yapmış bir ismin getirildiği ve bu kişinin, eski Samsung araştırmacılarıyla birlikte gizli bilgilere erişim sağladığı tespit edildi. Soruşturma kapsamında, 18 nanometre DRAM üretim süreçlerine ait kritik verilerin, yine Samsung kökenli başka bir çalışan aracılığıyla ele geçirildiği belirlendi.
Savcılık, söz konusu teknik bilgilerin CXMT’nin DRAM geliştirme çalışmalarında yasa dışı şekilde kullanıldığını ve bir çalışanın üretim süreçlerine ait yüzlerce aşamayı manuel olarak kopyalayarak Çinli ekibe aktardığını belgeledi. Bu yöntemle Samsung’un yıllar süren Ar-Ge çalışmalarının kısa sürede taklit edilebildiği ifade ediliyor.
Şüphelilerin yakalanmamak için oldukça profesyonel yöntemler kullandığı da dosyada yer alıyor. Eski Samsung yöneticisinin izlerini gizlemek amacıyla sürekli adres değiştiren paravan bir şirket kurduğu, ekip üyelerinin ise olası takiplere karşı kendi aralarında şifreli bir iletişim sistemi geliştirdiği tespit edildi.
2018 ile 2023 yılları arasında devam eden bu faaliyetler sonucunda, Samsung’a ait özgün bellek teknolojilerinin Çin’deki üretim altyapısına entegre edildiği ve CXMT’nin 2023 yılı itibarıyla 10 nanometre sınıfı DRAM üretimine geçmeyi başardığı belirtiliyor. Bu gelişme, küresel yarı iletken sektöründe fikri mülkiyet güvenliğinin ne denli kritik olduğunu bir kez daha gözler önüne seriyor.
