Huawei, yeni nesil 2 nm çip üretimi için beklenmedik bir patent başvurusu yaptı ve şirketin yaptırımlar altında gelişmiş yarı iletken üretimini sürdürme kararlılığını gözler önüne serdi. Patent, Huawei’nin yalnızca DUV litografi ekipmanlarını kullanarak 2 nm sınıfı üretime ulaşmayı hedeflediğini ortaya koyuyor ve bu sayede EUV makinelerine erişim kısıtlamalarına rağmen üretim ortağı SMIC ile mevcut altyapının sınırlarını zorlamayı planladığını gösteriyor.
Huawei yeni çip patenti aldı
Belgede, Huawei ve SMIC’in 21 nm metal aralığına ulaşmasını sağlayabilecek gelişmiş bir çoklu desenleme tekniği anlatılıyor. Bu boyut, TSMC ve Samsung’un EUV tabanlı 2 nm süreçleriyle eşdeğer olarak değerlendiriliyor. Şirketin yaklaşımı, optimize edilmiş bir “Kendinden Hizalamalı Dört Katmanlı Desenleme” süreci üzerine kurulmuş; bu yöntem, geleneksel tekniklere kıyasla DUV pozlama sayısını dörde kadar azaltarak üretim sürecini daha verimli hâle getiriyor.
Bu sadeleştirilmiş yapı, agresif bir desenleme sürecini mümkün kılarken DUV altyapısının kapasitesini maksimum seviyeye taşıyor. Huawei, bu yöntemle SMIC’in Kirin 9030’da kullanılan N+3 sürecinden doğrudan 2 nm nesline geçiş yapmayı ve bunu EUV araçlarına ihtiyaç duymadan gerçekleştirmeyi hedefliyor. Ancak sektör uzmanları, yoğun çoklu desenleme sürecinin laboratuvar ortamında uygulanabilir olsa da verim kaybı, artan hata riski ve yüksek maliyetler nedeniyle ticari açıdan temkinli bir değerlendirme gerektirdiğini belirtiyor.
Yine de Huawei’nin SAQP tabanlı üretimi yüksek hacimli üretime ulaşabilirse, bu yöntem yaptırımlar karşısında önemli bir teknolojik hamle olarak öne çıkacak. Patent, şirketin dışa bağımlılığı azaltma hedefi doğrultusunda mevcut litografi teknolojilerini ne kadar zorlamaya hazır olduğunu ve Çin’in kendi yarı iletken ekosistemini güçlendirme stratejisini net bir şekilde ortaya koyuyor.
